v X-Ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊，在撞擊過程中，因電子突然減速，其損失的動(dòng)能會(huì)以X-Ray形式放出。而對(duì)于樣品無(wú)法以外觀方式觀測(cè)的位置，利用X-Ray穿透不同密度物質(zhì)后 其光強(qiáng)度的變化，產(chǎn)生的對(duì)比效果可形成影像，即可顯示出待測(cè)物的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，進(jìn)而可在不破壞待測(cè)物的情況下觀察待測(cè)物內(nèi)部有問題的區(qū)域

v 檢測(cè)內(nèi)容：

? 觀測(cè)DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝 的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板

? 觀測(cè)器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況

? 觀測(cè)芯片crack、點(diǎn)膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝 缺陷，以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷

v 樣品尺寸：440 x 550 [mm] (17'' x 21'')

v 投射面積：310 x 310 [mm] (12'' x 12'')

v FeinFocusX射線管：FXT-160.50 微焦點(diǎn) 或 FXT-160.51 復(fù)合焦點(diǎn), 20 - 160 kV 電壓范圍

v 探測(cè)器有效面積：1004 x 620 px (Y.Panel 1308), 1004 x 1004 px (Y.Panel 1313), 1276 x 1276 px (ORYX 1616)

v 像素間距：127 µm

v 灰度：16 bit

v 傾角范圍：+/- 70° (140°）

v 三維模式：平面層析掃描 (micro3Dslice), CT快速掃描, 質(zhì)量掃描