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v 12個(gè)源爐:鎵、銦、鋁、砷、銻、磷、鉍、硅、鎂、摻雜等
v 襯底:4inch
v 溫度:1000°C 溫度均勻性:≤±3°C(4inch)
v 超高真空下全自動(dòng)樣品轉(zhuǎn)移
v 用于過(guò)程控制和分析的所有現(xiàn)代現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)控功能
v 一個(gè)集群上最多7個(gè)超高真空功能單元:裝載、儲(chǔ)存、翻轉(zhuǎn)、處理、排氣、生長(zhǎng),外部腔室
v 可連接其他分析設(shè)備或其他:ALD、PLD、PVD、金屬化、STM......