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TFS 200 不僅可以在晶圓,平面物體上鍍膜,還適用于粉末,顆粒,多孔的基底材料,或是有高深徑比的3D物體內(nèi)沉積高保形薄膜。
直接和遠(yuǎn)程等離子體沉積 (PEALD) 可作為TFS 200 的標(biāo)準(zhǔn)選項(xiàng)。等離子體是電容性耦合(CCP),這是當(dāng)今的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。等離子體選件可為直徑200毫米的基板(面朝上或面朝下)提供直接和遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)沉積 (PEALD)
二、技術(shù)參數(shù):
循環(huán)周期小于2秒。在特定的條件下可以小于1秒。
高深徑比(HAR)選項(xiàng)適用于通孔和多孔的基底材料。
可快速加熱和冷卻的冷壁真空反應(yīng)腔。
安裝在真空反應(yīng)腔的輔助接口可實(shí)現(xiàn)等離子體和在線診斷等。
加載鎖可用于快速更換基底材料并與其他設(shè)備集成