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l 方案是適用于 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統(tǒng)
l 系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產
l 系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片;不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空
l 系統(tǒng)包括:
一個六端口的轉接腔、帶機械手。
六個端口分別連接:
(1)一個ICP-RIE 刻蝕腔模塊:專用于刻蝕鈮酸鋰
(2)一個ICP-RIE 刻蝕腔模塊:配氟基氣體,主要用于刻蝕介質、光刻膠去等
(3)一個 RIE 刻蝕腔模塊:配氯基氣體,主要用于刻蝕金屬等
(4)一個 loadlock 預真空室模塊:用于單片樣品的手動送樣
(5)一個真空片盒站模塊:用于多片片盒的自動送樣
(6)一個端口備用,未來可升級增加 1 個刻蝕或沉積反應腔模塊