產(chǎn)品型號(hào)
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產(chǎn)品分類
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l 方案是適用于 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)
l 系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)
l 系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應(yīng)腔的開腔破真空
l 系統(tǒng)包括：
一個(gè)六端口的轉(zhuǎn)接腔、帶機(jī)械手
六個(gè)端口分別連接：
（1）一個(gè) ALE 刻蝕腔模塊：用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子層刻蝕
（2）一個(gè)ICPECVD 沉積腔模塊：用于沉積氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介質(zhì)膜
（3）一個(gè)低溫 ICP-RIE 刻蝕腔模塊：配氟基氣體，主要用于低溫深硅刻蝕、常溫鍺刻蝕等
（4）一個(gè) loadlock 預(yù)真空室模塊：用于單片樣品的手動(dòng)送樣
（5）一個(gè)真空片盒站模塊：用于多片片盒的自動(dòng)送樣
（6）一個(gè)端口備用，未來可升級(jí)增加 1 個(gè)刻蝕或沉積反應(yīng)腔模塊
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