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電子束光刻系統(tǒng)

簡(jiǎn)要描述:v最小線寬≤8nm光柵周期≤40nmv拼接精度:100μm寫場(chǎng)下

基礎(chǔ)信息

產(chǎn)品型號(hào)

廠商性質(zhì)

代理商

更新時(shí)間

2024-10-22

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詳細(xì)介紹

v 最小線寬8nm    光柵周期40nm

v 拼接精度:

100μm寫場(chǎng)下,拼接精度≤20nmmean+3sigma

500μm寫場(chǎng)下,拼接精度≤30nmmean+3sigma

v 套刻精度:

100μm寫場(chǎng)下,拼接精度≤20nmmean+3sigma

500μm寫場(chǎng)下,拼接精度≤25nmmean+3sigma

v 束電流穩(wěn)定性<0.2%/h   束位置穩(wěn)定性<120nm/8h

v 50KV加速電壓下,寫場(chǎng)可在0.5μm~500μm的范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)

v 肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子束源,加速電壓50kv,束電流范圍至少為50pA~40nA,束電流40nA

v 圖像發(fā)生器掃描頻率50MHz20bit分辨率,最小步距為0.5nm

v 通用樣品架可承載散片,4inch以下的襯底,4inch專用晶圓專用樣品架,6inch專用晶圓專用樣品架,多樣品專用樣品架


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